| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
STGB10NC60HDT4, D2PAK/TO263 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors STGB10NC60HDT4, D2PAK/TO263
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 0.93 € |
| 50 | 0.69 € |
| 200 | 0.50 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.