| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 2 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 30 |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO251 |
| Особенности*: сфера применения | - |
SGU02N60, FastIGBT 600v 2A TO251 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors SGU02N60, FastIGBT 600v 2A TO251
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 0.93 € |
| 20 | 0.72 € |
| 200 | 0.68 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.