| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
RJP30H1DPD, TO-252 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors RJP30H1DPD, TO-252
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.67 € |
| 20 | 1.28 € |
| 60 | 1.04 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.