| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 11 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 6.8 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 63 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | TO262 |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGSL4B60KD1PBF, IGBT 600В 6.8А TO262 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGSL4B60KD1PBF, IGBT 600В 6.8А TO262
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.41 € |
| 28 | 1.16 € |
| 280 | 1.08 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.