| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 78 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 370 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | TO262 |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGSL30B60KPBF, IGBT 600В 50А 10-30кГц TO262 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGSL30B60KPBF, IGBT 600В 50А 10-30кГц TO262
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.78 € |
| 14 | 2.28 € |
| 140 | 2.11 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.