| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 35 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 12 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 156 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO262 |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGSL10B60KDPBF, IGBT 600В 12А 10-30кГц TO262 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGSL10B60KDPBF, IGBT 600В 12А 10-30кГц TO262
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.97 € |
| 13 | 2.46 € |
| 130 | 2.27 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.