| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 11 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 6.8 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 63 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | D2Pak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGS4B60KD1TRRP, IGBT 600В 6.8А 10-30кГц D2Pak - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGS4B60KD1TRRP, IGBT 600В 6.8А 10-30кГц D2Pak
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.58 € |
| 16 | 1.92 € |
| 160 | 1.77 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.