| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 32 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 20 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 140 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...175 |
| Корпус | D2Pak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGS4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [D2-PAK] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGS4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [D2-PAK]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 3.96 € |
| 5 | 3.69 € |
| 50 | 3.63 € |
![IRGS4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [D2-PAK]](https://r-ek.eu/i/p/c6c/300_330/c99136936e.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.