| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 7.8 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 4.2 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 52 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | DPak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGR3B60KD2TRRP, IGBT 600В 4.2А 10-30кГц DPak - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGR3B60KD2TRRP, IGBT 600В 4.2А 10-30кГц DPak
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.03 € |
| 39 | 0.78 € |
| 390 | 0.73 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.