| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 45 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.35 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 390 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGP50B60PD1PBF, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGP50B60PD1PBF, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 5.95 € |
| 5 | 5.59 € |
| 50 | 5.49 € |
![IRGP50B60PD1PBF, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247]](https://r-ek.eu/i/p/d59/300_425/9f06991ba1.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.