| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 273 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...175 |
| Корпус | TO247AD |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGP4750D-EPBF, IGBT 650В 50А TO247AD - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGP4750D-EPBF, IGBT 650В 50А TO247AD
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 5.55 € |
| 7 | 4.46 € |
| 70 | 4.03 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.