| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 24 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 250 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...175 |
| Корпус | TO247AD |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGP4262D-EPBF, IGBT 650В 24А TO247AD - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGP4262D-EPBF, IGBT 650В 24А TO247AD
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 4.76 € |
| 7 | 3.75 € |
| 70 | 3.38 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.