| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 16 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 10 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 44 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | TO220FP |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGIB10B60KD1P, IGBT 600В 10А 10-30кГц TO220FP - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGIB10B60KD1P, IGBT 600В 10А 10-30кГц TO220FP
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.97 € |
| 13 | 2.44 € |
| 130 | 2.26 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.