| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 16 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 8 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 99 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGB4060DPBF, IGBT 600В 8А TO220AB - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGB4060DPBF, IGBT 600В 8А TO220AB
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.78 € |
| 12 | 2.20 € |
| 120 | 2.05 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.