| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 22 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.35 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 215 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 3.17 € |
| 25 | 2.48 € |
| 250 | 2.43 € |
![IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 40А [TO-220AB]](https://r-ek.eu/i/p/437/300_330/7f10311153.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.