| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 22 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.35 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 215 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 22А 60-150кГц TO220AB - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRGB20B60PD1PBF, IGBT 600В 22А 60-150кГц TO220AB
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 5.55 € |
| 10 | 4.86 € |
| 100 | 3.77 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.