| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 90 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 20 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 400 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG7PH50K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А 4-20кГц [TO-247] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG7PH50K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А 4-20кГц [TO-247]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 11.70 € |
| 5 | 11.08 € |
| 50 | 10.89 € |
![IRG7PH50K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А 4-20кГц [TO-247]](https://r-ek.eu/i/p/041/300_425/17a9109575.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.