| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 90 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 20 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 400 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
| Корпус | TO247AD |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG7PH50K10D-EPBF, IGBT 1200В 50А 4-20кГц TO247AD - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG7PH50K10D-EPBF, IGBT 1200В 50А 4-20кГц TO247AD
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 7.93 € |
| 4 | 6.84 € |
| 40 | 6.35 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.