| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 15 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG7PH28UEF, кристалл 1200В 15А - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG7PH28UEF, кристалл 1200В 15А
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.45 € |
| 24 | 1.32 € |
| 240 | 1.20 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.