| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 8.5 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 5 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.6 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 38 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | DPak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4RC10UDPBF, DPAK/TO252 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4RC10UDPBF, DPAK/TO252
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.53 € |
| 15 | 1.16 € |
| 75 | 0.95 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.