| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 8 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 1 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 38 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | DPak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4RC10SDPBF, IGBT 600В 8А 1кГц DPak - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4RC10SDPBF, IGBT 600В 8А 1кГц DPak
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.47 € |
| 27 | 1.20 € |
| 270 | 1.12 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.