| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 9 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 5 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.62 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 25 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 38 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | DPak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4RC10KDTRPBF, IGBT 600В 5А 8-25кГц DPak - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4RC10KDTRPBF, IGBT 600В 5А 8-25кГц DPak
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.61 € |
| 25 | 1.22 € |
| 250 | 1.13 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.