| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 33 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 33 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 1 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4PH50S-EPBF, IGBT 1200В 33А 1кГц ТО247АD - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4PH50S-EPBF, IGBT 1200В 33А 1кГц ТО247АD
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 6.74 € |
| 6 | 5.41 € |
| 60 | 5.03 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.