| Максимальное напряжение кэ ,В | 900 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 51 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.25 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 100 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO247AC |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 5.35 € |
| 5 | 5.06 € |
| 50 | 4.97 € |
![IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]](https://r-ek.eu/i/p/a35/300_425/552df81192.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.