| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14.3 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 7.7 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 34 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO220FP |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4IBC20FDPBF, IGBT 600В 7.7А 1-8кГц TO220FP - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4IBC20FDPBF, IGBT 600В 7.7А 1-8кГц TO220FP
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.86 € |
| 21 | 1.53 € |
| 210 | 1.42 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.