| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 11 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 5 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.17 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 20 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 60 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO262 |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4BH20K-LPBF, IGBT 1200В 5А 4-20кГц TO262 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4BH20K-LPBF, IGBT 1200В 5А 4-20кГц TO262
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.18 € |
| 22 | 1.49 € |
| 220 | 1.39 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.