| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 20 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO262 |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4BC40W-LPBF, IGBT 600В 20А 60-150кГц TO262 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4BC40W-LPBF, IGBT 600В 20А 60-150кГц TO262
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.18 € |
| 19 | 1.73 € |
| 190 | 1.60 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.