| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 8 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 1 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 38 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | D2Pak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRG4BC10SD-SPBF, IGBT 600В 8А 1кГц D2Pak - IGBT транзисторы
IGBT Transistors IRG4BC10SD-SPBF, IGBT 600В 8А 1кГц D2Pak
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 1.72 € |
| 23 | 1.42 € |
| 230 | 1.31 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.