| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 4.56 € |
| 5 | 4.28 € |
| 50 | 4.20 € |
![HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]](https://r-ek.eu/i/p/cb6/300_425/6cbafdf72a.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.