| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 2.18 € |
| 25 | 1.65 € |
| 250 | 1.63 € |
![HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]](https://r-ek.eu/i/p/bbc/300_425/c314290f50.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.