| Максимальное напряжение кэ ,В | - |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
| Мощность макс.,Вт | - |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
| Корпус | - |
| Особенности*: сфера применения | - |
GT50J327, Параметры: Vces=575В. Проверено, TO3PN - IGBT транзисторы
IGBT Transistors GT50J327, Параметры: Vces=575В. Проверено, TO3PN
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 5.95 € |
| 5 | 4.58 € |
| 25 | 3.80 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.