| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 52 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 10 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 300 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO218AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
BUP314D, IGBT 1200В 52A 300W, [TO-218AB] - IGBT транзисторы
IGBT Transistors BUP314D, IGBT 1200В 52A 300W, [TO-218AB]
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 10.11 € |
| 5 | 9.52 € |
| 50 | 9.36 € |
![BUP314D, IGBT 1200В 52A 300W, [TO-218AB]](https://r-ek.eu/i/p/e2b/300_330/b3a7436ae9.jpg)
The manager will inform you of the total cost including delivery.