| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 52 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 10 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 300 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO218AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
BUP314D, IGBT 1200v52A 300W P-TO218 - IGBT транзисторы
IGBT Transistors BUP314D, IGBT 1200v52A 300W P-TO218
| MOQ | Price |
|---|---|
| 1 | 8.13 € |
| 5 | 7.24 € |
| 50 | 6.39 € |
The manager will inform you of the total cost including delivery.